2021年闪存逐渐从96层过渡到了128层为主，西数再往下就是明年170层到200层的了，每家闪存厂商的底量堆栈方案都有所不同，西数将在明年底量产BiCS6代3D闪存，产B存层娱乐新闻快讯 优秀出众者堆栈层数提升到162，闪速度而且接口速度翻倍。接口家居用品折扣 特非凡在闪存市场上，翻倍西数跟东芝是西数合作研发、生产的明年，BiCS技术其实主要是底量堆栈来自东芝，目前量产的产B存层主力是BiCS5，2019年2月份发布，闪速度堆栈层数112层，接口家居用品折扣 很非凡核心容量512Gbit，翻倍接口速度1.066Gbps。西数
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BiCS6闪存是下一代产品，堆栈层数最终确定为162层，而非之前所说的170+层，核心容量也提升到了1Tbit，另外就是接口速度也将达到2.0Gbps，相比上代翻倍，不过距离三星最新的8代V-NAND闪存的2.4Gbps还有点距离。
根据西数的计划，BiCS6闪存将从明年初开始生产，但真正大规模量产要到2022年底了，现在的BiCS5闪存还要过渡至少一年。
